Чем разбавить нигрол: Что будет если смешать Нигрол и Тад 17?

Содержание

Что будет если смешать Нигрол и Тад 17?

Почему именно с Тад —17? Потому, что вязкости этих веществ практически совпадают, а основная разница заключается в ассортименте и количестве присадок. Напомним, что в советском нигроле их практически не было: по ГОСТ 542-50 нигрол подразделялся на «летний» и «зимний».

Сразу хочется сказать, что трансмиссионные масла, как в прочем и моторные не являются унифицированным продуктом. То есть не смотря на похожие характеристики масел, они все же отличаются и смешивать их – НЕЛЬЗЯ!

Она применяется для смазывания гипоидных, спирально-конических, червячных, цилиндрических и конических передач, работающих при высоких нагрузках. Масло используется в механических трансмиссиях, раздаточных коробках, ведущих мостах и рулевом управлении.

Дело в том, что смазывающие вещества для трансмиссии отличаются друг от друга, ввиду чего специалисты рекомендуют ни в коем случае их не смешивать.

Лучший вариант – использование только чистых материалов, рекомендованных производителем. В случае крайней необходимости можно смешать жидкости с одинаковым составом или из одинаковых классификационных групп.

Масло трансмиссионное Агринол Нигрол используется в качестве рабочей жидкости в редукторах, малонагруженных узлах промышленного оборудования, открытых зубчатых передачах, планетарных зубчатых передачах кранов, экскаваторов, зубчатых передачах и узлах трансмиссий промышленного оборудования, тракторов, …

Описание: Трансмиссионное масло ТАД—17 (ТМ-5-18) — это всесезонное универсальное минеральное трансмиссионное масло, изготовляемое на минеральной основе, содержащее многофункциональную серофосфоросодержащую, депрессорную и антипенную присадки.

Нигро́л (от лат. niger — «чёрный» — и лат. oleum — «масло») — трансмиссионное масло без присадок, вязкая жидкость тёмного цвета, представляющая собой неочищенный остаток от прямой перегонки нафтеновых нефтей. Применялся для смазывания трансмиссий и других агрегатов (зубчатые передачи и т.

Итак, как видно, смешивать трансмиссионные масла, особенно в случае с АКПП, крайне нежелательно. Единственным исключением можно считать случаи, когда прямо в дороге произошло критическое понижение уровня масла в коробке передач. В этом случае езда с низким уровнем масла в коробке недопустима.

Поэтому многие часто задаются вопросом относительно того, можно ли смешивать трансмиссионные масла разных производителей. Специалисты не рекомендуют этого делать в силу того, что каждая жидкость унифицирована. Смешивать их допускается только в крайних случаях. Главным компонентом смазки является базовая основа.

Долить масло в коробку достаточно просто. Поставьте воронку в горловину, в которой был щуп (лучше использовать длинную воронку, она будет устойчивее). Аккуратно залейте в нее нужный объем нефтепродукта. Рекомендуется лить смазку порционно, чтобы избежать перелива.

ТЭп—15 — Применяется для смазки цилиндрических, конических и спирально-конических передач. Масло всесезонное, работоспособно при температуре до минус 23°С. … Агринол ТАД—17и — Масло предназначено для смазывания всех типов передач (в том числе гипоидных) автомобилей и другой мобильной техники.

Масло ТАД—17и принадлежит к классу вязкости 18, по уровню эксплуатационных свойств относится к группе 5, предусматривающей наличие высоких противоза-дирных и многофункциональных свойств масла.

Можно ли мешать тап17 с нигролом? — ЗАВОД РУ

  • Автор: Анатолий Пономарёв
  • 09 июля 2019
  • Добавить в закладки

И что будет при этом?

Нигрол ТАП-17 Масло

Поделиться

Поставил распределитель рп70, на МТЗ 80.Почему при запуске двигатель, работает в нагрузку и масло греется в гидравлике?
  • Автор: Михаил Леонтьев
  • 15 ноября 19:28
  • 59 комментариев

Здарова, мужчины. Поставил я себе распределительных рп70, на МТЗ 80.почему то когда запускаешь двигатель, он работает в нагрузку, двигатель, рычагом секцию включаешь работает нормально. Насос нш отключаешь ,тоже нормально работает, без нагрузки. Клапан на распреде проверил, давление убавлял, не помогло, ещё и масло греется в гидравлики, как будто одна секция включена. Че за хрень не пойму?

поставил Распределитель рп 70 МТЗ 80 Почему при запуске Двигатель Работает Нагрузка Масло Гидравлика Греется

Мтз 82 проблема с гидравликой. Почему на холодную поднимает, как масло нагревается нет. Поставили нулевой насос, тоже самое.
  • Автор: Lauris Bjalkovskis
  • 22 октября 14:10
  • 22 комментария

Всем привет. Мтз 82 проблема с гидравликой, на холодную поднимает всё отлично, как масло нагревается так всё, поставили нулевой насос, тоже самое. Еще с этим новым насосом, как нагревается масло начинает громко работать как нажимаешь рычаг. Я так понимаю не поступает масло. Или может еще что то может быть? Спасибо!

МТЗ 82 Проблема Гидравлика Почему На холодную Поднимает Масло Нагревается нет нулевой Насос поставил тоже самое

Двигатель д260 Масло с двигателя пошло в систему охлаждения. что делать?
  • Автор: Владимир Сахарчук
  • 20 октября 20:10
  • 8 комментариев

Доброго времени суток. Подскажите двигатель д260 масло с двигателя пошло в систему охлаждения. Куда лести? Заранее спасибо, коллеги!!!

Двигатель Д-260 Масло Двигатель пошло Система охлаждения Что делать

Почему, после того, как поменял головку на мтз 80 выкидывает масло с глушителя?
  • Автор: Sanya Dronov
  • 06 октября 00:50
  • 17 комментариев

Ребята, подскажите, пожалуйста, после как поменял головку на мтз 80 выкидывает масло с глушителя. В чём причина?

Почему После после замены поменяли головка МТЗ 80 выкидывает Масло Глушитель

Почему не могу устранить утечку масла, из под передней промежуточный пластины передней крышки мтз 80?
  • Автор: Санёк Никитин
  • 16 августа 00:50
  • 29 комментариев

Всем доброго дня, мужики. Проблема: не могу устроить утечку масла, из под передней промежуточный пластины передней крышки мтз80 Может кто сталкивался с такой проблемой?

Почему Не могу устранить Утечка Масло Передняя промежуточная пластина Крышка МТЗ 80

Почему выкидывает масло через сапун мтз 82.1 балочный мост Раньше выкидывало только на бортовой, сегодня кинуло через сапун на мосту.
  • Автор: Ислам Батигов
  • 14 августа 00:10
  • 18 комментариев

Здравствуйте, выкидывет масло через сапун мтз 82.1 балочный мост Какая может причина? Раньше выкидывало только на бортовой, сегодня кинуло через сапун на мосте Кидает после езды на асфальте

Почему выкидывает Масло Сапун Мост МТЗ 82.1 Балочный мост через Бортовая

Почему масло в коробке, двигателе, гидравлике, по уровню после запуска, через минуту зажигается ошибка?
  • Автор: Сергей Бабкин
  • 10 августа 21:15
  • 3 комментария

Доброго времени суток. Уважаемые, подскажите пожалуйста масло в коробке, двигателе, гидравлике, по уровню после запуска, через минуту зажигается ошибка. Что это значит?

Почему Масло Коробка Двигатель Гидравлика Уровень Уровень масла через минута Загорается Ошибка

Из за чего масло с отвала вытекать может?
  • Автор: Максим Честнов
  • 09 августа 20:00
  • 30 комментариев

Из за чего масло с отвала вытекать может?

Из за чего Масло Отвал вытекает

Почему на МТЗ 80, когда утром уровня масла нет ,а на горячую появляется масло на щупе?
  • Автор: Сергей Мухаматянов
  • 26 июля 11:00
  • 10 комментариев

Всем привет. Такая проблема: на МТЗ 80, когда утром смотришь уровень масла вообще нету ,а когда завел и потарахтит маленько и заглушил и потом появляется масло на щупе. Почему?

Почему МТЗ МТЗ 80 Щуп Масло нет утро На горячую появляется Уровень масла Уровень

Двигатель Д-240 бьёт в воздухан так, что масло вытекает. В чем причина?
  • Автор: Владислав Шалагинов
  • 19 июля 22:55
  • 9 комментариев

Всем привет, подскажите пожалуйста двигатель Д240 бьёт в воздухан так, что масло из него вытекает. Куда копать? Клапана отрегулировали, головку снимали клапана притирали, залили солярку на сутки, всё держит прекрасно. Что ещё может быть? Кто сталкивался?

Двигатель д-240 бьет Воздухан Масло вытекает В чем причина?

Структурные и изолирующие свойства тонких пленок бинарного оксида с высокой диэлектрической проницаемостью для электронных устройств из карбида кремния и нитрида галлия

Обзор

. 2022 22 января; 15 (3): 830.

дои: 10.3390/ma15030830.

Рафаэлла Ло Нигро
1
 , Патрик Фиоренца
1
 , Джузеппе Греко
1
 , Эмануэла Скилиро
1
 , Фабрицио Роккафорте
1

принадлежность

  • 1 Национальный исследовательский институт микроэлектроники и микросистем (CNR-IMM), 95121 Катания, Италия.

  • PMID:

    35160775

  • PMCID:

    PMC8836874

  • DOI:

    10.3390/ма15030830

Бесплатная статья ЧВК

Обзор

Raffaella Lo Nigro et al.

Материалы (Базель).

.

Бесплатная статья ЧВК

. 2022 22 января; 15 (3): 830.

дои: 10.3390/ma15030830.

Авторы

Рафаэлла Ло Нигро
1
 , Патрик Фиоренца
1
 , Джузеппе Греко
1
 , Эмануэла Скилиро
1
 , Фабрицио Роккафорте
1

принадлежность

  • 1 Национальный исследовательский институт микроэлектроники и микросистем (CNR-IMM), 95121 Катания, Италия.

  • PMID:

    35160775

  • PMCID:

    PMC8836874

  • DOI:

    10.3390/ma15030830

Абстрактный

Диэлектрики с высоким κ представляют собой изоляционные материалы с более высокой диэлектрической проницаемостью, чем диоксид кремния. Эти материалы уже нашли применение в микроэлектронике, в основном в качестве изоляторов подзатвора или пассивирующих слоев для кремниевой (Si) технологии. Однако в последнее десятилетие эпоха посткремния началась с повсеместного внедрения полупроводников с широкой запрещенной зоной (WBG), таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), которые открыли новые перспективы для материалов с высоким κ в эти новые технологии. В этом контексте оксиды алюминия и гафния (например, Al 2 O 3 , HFO 2 ) и некоторые редкоземельные оксиды (например, генеральный директор 2 , GD 2 O 3 , SC 2 O 3 ). оксиды, которые могут найти применение в качестве подзатворных диэлектрических слоев в следующем поколении мощных и высокочастотных транзисторов на основе SiC и GaN. В этом обзорном документе дается общий обзор тонких пленок бинарных оксидов с высокой диэлектрической проницаемостью для пост-кремниевых электронных устройств. В частности, основное внимание уделяется бинарным оксидам с высоким значением κ, выращенным методом осаждения атомных слоев на полупроводники WBG (карбид кремния и нитрид галлия) в виде аморфных или кристаллических пленок. Обсуждается влияние режимов осаждения и обработки до или после осаждения. Кроме того, также представлены диэлектрические свойства этих пленок, а также приведены некоторые примеры применения бинарных оксидов с высоким значением κ в транзисторах SiC и GaN. Выделены потенциальные преимущества и текущие ограничения этих технологий.


Ключевые слова:

бинарные оксиды; диэлектрики с высоким κ; изоляторы; силовая электроника; широкозонные полупроводники.

Заявление о конфликте интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Цифры

Рисунок 1

( a ) Ширина запрещенной зоны…

Рисунок 1

( a ) Значения ширины запрещенной зоны как функция относительной диэлектрической проницаемости (в…


фигура 1

( a ) Значения ширины запрещенной зоны как функция относительной диэлектрической проницаемости (в единицах диэлектрической проницаемости вакуума ε 0 ) для различных изоляторов. Сплошная линия является ориентиром; ( b ) схематическая иллюстрация (в масштабе) выравнивания зон некоторых распространенных изоляторов с рассматриваемыми полупроводниковыми материалами (например, кремний, 4H-SiC и GaN). Светло-фиолетовые, зеленые и оранжевые пунктирные линии обозначают край зоны проводимости полупроводников Si, 4H-SiC и GaN соответственно.

Рисунок 2

Схематическое изображение основных…

Рисунок 2

Схематическое изображение основных проблем, влияющих на функциональность бинарных вентилей high-κ…


фигура 2

Схематическое изображение основных проблем, влияющих на функциональность оксидов двойного затвора с высоким значением κ в транзисторе.

Рисунок 3

ПЭМ изображения Al 2…

Рисунок 3

ПЭМ изображения Al 2 O 3 тонкие пленки, выращенные методом PE-ALD на…


Рисунок 3

ПЭМ-изображения Al 2 O 3 тонкие пленки, выращенные методом PE-ALD на 4H-SiC ( a ) и SiO 2 /4H-SiC ( b ) и их относительные электрические характеристики с точки зрения кривых C-V ( c ) и измерений ВАХ ( d ), выполненных на МОП-конденсаторах. Черные и красные линии относятся к тонким пленкам Al 2 O 3 , нанесенным на подложки SiO 2 /4H-SiC и 4H-SiC соответственно. Воспроизведено с разрешения из [40]. Авторское право © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.

Рисунок 4

Схематическое изображение химической…

Рисунок 4

Схематическое представление химического воздействия различных поверхностей подложки на…


Рисунок 4

Схематическое изображение химического воздействия различных поверхностей подложки на процессы зародышеобразования Al 2 O 3 в случае голой подложки SiC ( a ) или подложка SiC с тонким слоем SiO 2 сверху ( b ). Воспроизведено с разрешения из [40]. Авторское право © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.

Рисунок 5

ПЭМ изображение ( a…

Рисунок 5

ПЭМ-изображение ( a ) депонированного и ( б ) 800…


Рисунок 5

ПЭМ-изображение ( a ) после осаждения и ( b ) отожженного при 800 °C наноламината Al 2 O 3 /HfO 2 , нанесенного на подложку SiO 2 . Воспроизведено из [63]. Copyright © 2020 Авторы.

Рисунок 6

( a ) Разрез с высоким разрешением…

Рисунок 6

( a ) Электронно-микроскопическое изображение поперечного сечения пленки NiO с высоким разрешением, нанесенной…


Рисунок 6

( a ) ПЭМ-изображение поперечного сечения с высоким разрешением пленки NiO, осажденной методом MOCVD на 4H-SiC при 500 ° C; ( b ) C-V кривая, полученная на МОП-конденсаторе NiO/4H-SiC. Воспроизведено с разрешения из [81]. Авторское право © 2013 Elsevier Ltd.

Рисунок 7

ПЭМ изображения поперечного сечения с большим увеличением (…

Рисунок 7

ПЭМ-изображения поперечного сечения с большим увеличением ( a ) и диаграммы SAED в плоскости ( b…


Рисунок 7

ПЭМ-изображения поперечного сечения с большим увеличением ( a ) и плоскостные картины SAED ( b ) тонкой пленки NiO, осажденной методом MOCVD на гетероструктуре AlGaN / GaN при 500 ° C. Изображение поперечного сечения ПЭМ с большим увеличением ( c ) и картины SAED в плоскости ( d ) тонкой пленки CeO 2 , осажденной методом MOCVD на гетероструктуре AlGaN / GaN при 500 ° C. Панель ( a ): воспроизведена с разрешения [23]. Авторское право © 2012 Издательство АИП; Панель ( d ): воспроизведена с разрешения [25]. Авторское право © 2013 Издательство АИП.

Рисунок 8

Схематическое сечение (…

Рисунок 8

Схематическое сечение ( a ) силового полевого МОП-транзистора 4H-SiC, ( b…


Рисунок 8

Схематическое сечение ( a ) силового полевого МОП-транзистора 4H-SiC, ( b ) MISHEMT AlGaN / GaN и ( c ) гибридный MISHEMT с утопленным затвором.

Рисунок 9

Расчетное пороговое напряжение SiC…

Рисунок 9

Расчетное пороговое напряжение SiC MOSFET ( a ) и MISHEMT AlGaN/GaN (…


Рисунок 9

Расчетное пороговое напряжение SiC MOSFET ( a ) и AlGaN/GaN MISHEMT ( b ) в зависимости от толщины слоя изолятора затвора для различных материалов с высоким значением κ. Панель ( b ): воспроизведена с разрешения [100]. Авторское право © 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.

Рисунок 10

( и ) Сравнение между…

Рисунок 10

( a ) Сравнение полевой подвижности, полученной в 4H-MOSFET, изготовленных с использованием…


Рисунок 10

( a ) Сравнение полевой подвижности, полученной в 4H-MOSFET, изготовленных с использованием изоляторов Al 2 O 3 с ультратонким термически выращенным слоем SiOx, вставленным между Al 2 O 9, и без него.0089 3 и интерфейс SiC. ( b ) Пиковое значение полевой подвижности, полученное с использованием слоев SiOx различной толщины. Данные взяты из [107,108].

Рисунок 11

( и ) Сравнение между…

Рисунок 11

( a ) Сравнение полевой подвижности, полученной в 4H-MOSFET, изготовленных с использованием…


Рисунок 11

( a ) Сравнение полевой подвижности, полученной в 4H-MOSFET, изготовленных с использованием изоляторов Al 2 O 3 со вставкой ультратонких термически выращенных или азотированных слоев SiO 2 . ( b ) Сравнение полевой подвижности, полученной в 4H-SiC MOSFET, изготовленных с использованием изоляторов SiO 2 со вставкой ультратонких La 2 O 3 слой. Данные взяты из ссылок. [43,111,113].

Рисунок 12

( и ) Сравнение…

Рисунок 12

( a ) Сравнение ВАХ затворов AlGaN/GaN HEMT (Шоттки…


Рисунок 12

( a ) Сравнение ВАХ затворов AlGaN/GaN HEMT (затвор Шоттки) и MISHEMT с использованием затворных изоляторов HfO 2 и CeO 2 . Данные взяты из [25,118]. ( b ) I ON /I OFF по сравнению с I DSmax для MISHEMT, использующих различные оксиды затвора. Данные взяты из таблицы 6 и ссылок в ней.

Рисунок 13

I DSmax по сравнению с V th…

Рисунок 13

I DSmax по сравнению с V th значение для встраиваемых гибридных MISHEMT с использованием различных high-κ…


Рисунок 13

I DSmax по сравнению со значением V th для утопленных гибридных MISHEMT с использованием различных оксидов двойного затвора с высоким значением κ. Данные взяты из [141,142,143,144,145,146,147,150,151,152,153].

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

  • Состояние диэлектрической технологии затвора из оксида алюминия для устройств на основе GaN с изолированным затвором.

    Кальцоларо А., Миколаджик Т., Ваховяк А.
    Кальцоларо А. и др.
    Материалы (Базель). 2022 21 января; 15 (3): 791. дои: 10.3390/ma15030791.
    Материалы (Базель). 2022.

    PMID: 35160737
    Бесплатная статья ЧВК.

    Рассмотрение.

  • Обзор управляющих схем для широкополосных полупроводниковых переключающих устройств для приложений средней и большой мощности.

    млн лет CT, Gu ZH.
    Ма КТ и др.
    Микромашины (Базель). 2021 8 января; 12 (1): 65. дои: 10.3390/ми12010065.
    Микромашины (Базель). 2021.

    PMID: 33430093
    Бесплатная статья ЧВК.

    Рассмотрение.

  • Перовскитные мембраны с высоким κ как изоляторы для двумерных транзисторов.

    Хуан Дж.К., Ван И, Ши Дж., Чжан Дж., Ван З., Ван В., Ян Н., Лю И., Линь Ч., Гуань Х., Ху Л., Ян З.Л., Хуан Б.К., Чиу Ю.П., Ян Дж., Дун В., Ван Д., Калантар-Заде К., Ву Т., Зу С., Цяо Л., Ли Л.Дж., Ли С.
    Хуанг Дж.К. и др.
    Природа. 2022 Май; 605 (7909): 262-267. doi: 10.1038/s41586-022-04588-2. Epub 2022 11 мая.
    Природа. 2022.

    PMID: 35546188

  • Обзор нормально выключенных транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе GaN.

    Роккафорте Ф., Греко Г., Фиоренца П., Юколано Ф.
    Роккафорте Ф. и соавт.
    Материалы (Базель). 2019 15 мая; 12 (10): 1599. дои: 10.3390/ma12101599.
    Материалы (Базель). 2019.

    PMID: 31096689
    Бесплатная статья ЧВК.

    Рассмотрение.

  • Приближение к бездефектному аморфному нитриду кремния с помощью плазменного атомно-лучевого осаждения для высокоэффективного диэлектрика затвора.

    Tsai SJ, Wang CL, Lee HC, Lin CY, Chen JW, Shiu HW, Chang LY, Hsueh HT, Chen HY, Tsai JY, Lu YH, Chang TC, Tu LW, Teng H, Chen YC, Chen CH, У КЛ.
    Цай С.Дж. и соавт.
    Научный представитель, 21 июня 2016 г .; 6: 28326. дои: 10.1038/srep28326.
    Научный представитель 2016.

    PMID: 27325155
    Бесплатная статья ЧВК.

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

  • Нанотехнологии для электронных материалов и устройств.

    Ло Нигро Р., Фиоренца П., Печ Б., Эрикссон Дж.
    Ло Нигро Р. и др.
    Наноматериалы (Базель). 2022 23 сентября; 12 (19): 3319. doi: 10.3390/nano12193319.
    Наноматериалы (Базель). 2022.

    PMID: 36234447
    Бесплатная статья ЧВК.

использованная литература

    1. Бозе К.Б. Силовая электроника – новая технология. IEEE транс. инд. электр. 1989; 36: 403–412. дои: 10.1109/41.31504.

      —

      DOI

    1. Брунко Д.П., Де Джагер Б., Энеман Г., Митар Дж., Хеллингс Г., Сатта А., Терзиева В., Сурио Л., Лейс Ф.Е., Пуртуа Г. и др. Германиевые МОП-транзисторы: достижения в понимании материалов, разработке процессов и электрических характеристиках. Дж. Электрохим. соц. 2008; 155:H552–H561. дои: 10.1149/1.2919115.

      —

      DOI

    1. Вонг Х. -С.П. Помимо обычного транзистора. IBM Дж. Рез. Дев. 2002; 46: 133–168. doi: 10.1147/rd.462.0133.

      —

      DOI

    1. Остлинг М., Ганди Р., Зеттерлинг К.-М. Силовые устройства SiC Текущее состояние, области применения и перспективы на будущее; Материалы 23-го Международного симпозиума IEEE 2011 г. по силовым полупроводниковым устройствам и интегральным схемам; Сан-Диего, Калифорния, США. 23–26 мая 2011 г.; Пискатауэй, Нью-Джерси, США: IEEE; 2011. С. 10–15.

    1. Роккафорте Ф., Фиоренца П., Греко Г., Нигро Р.Л., Джаннаццо Ф., Юколано Ф., Саджио М. Новые тенденции в технологии полупроводников с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN) для силовых устройств. Микроэлектрон. англ. 2018; 187–188: 66–77. doi: 10.1016/j.mee.2017.11.021.

      —

      DOI

Типы публикаций

Грантовая поддержка

  • 737483 / Компоненты и системы электроники для совместного предприятия европейского лидерства (ECSEL-JU)
  • PON ARS01_01007/Министерство университетов и исследований Италии (MUR)
  • 101007310/Совместное предприятие «Ключевые цифровые технологии» (KDT-JU)

Сканирующая зондовая микроскопия гетерогенных тонких пленок CaCu3Ti4O12 | Письма об исследованиях в области нанотехнологий

  • Nano Express
  • Открытый доступ
  • Опубликовано:
  • Патрик Фьоренца 1 ,
  • Рафаэлла Ло Нигро 1 и
  • Вито Райнери 1  

Письма об исследованиях в области наноразмеров
том 6 , номер статьи: 118 (2011)
Процитировать эту статью

  • 3910 доступов

  • Сведения о показателях

Abstract

Кондуктивная атомно-силовая микроскопия позволила получить локальную характеристику диэлектрических неоднородностей в CaCu 3 Ti 4 O 12 (CCTO) тонкие пленки, нанесенные методом MOCVD на IrO 2 нижний электрод. В частности, оба метода использовались для выяснения роли межзеренных и субгранулярных особенностей с точки зрения проводящих и изолирующих областей. Исследованы микроструктура и диэлектрические свойства тонких пленок CCTO, а также приведены доказательства наличия внутренних барьеров в тонких пленках CCTO. Была оценена роль внутренних барьеров и возможное объяснение внешнего происхождения гигантского диэлектрического отклика в CCTO.

I. Введение

Электрические свойства керамики и монокристаллов CaCu 3 Ti 4 O 12 (CCTO) привлекли значительное внимание из-за эффективной огромной диэлектрической проницаемости (до 10 5 ), измеренной в диапазоне радиочастот, кроме того устойчивый в диапазоне температур 100-400 К [1-3]. В недавней литературе эта гигантская диэлектрическая проницаемость обычно связывается с внешними эффектами, то есть не связана с самим свойством объемного материала. Возможные внешние механизмы, объясняющие поведение колоссальной диэлектрической проницаемости, подтверждаются результатами спектроскопии импеданса (ИС) [4], спектроскопии комбинационного рассеяния [5] и расчетов из первых принципов [6]. В частности, данные IS для поликристаллической керамики CCTO, представленные до сих пор, были смоделированы с учетом эквивалентной схемы из двух элементов, каждый из которых состоит из параллельного резистора-конденсатора (RC), соединенных последовательно. Один RC-элемент (R gb и C gb ) имитирует реакцию границ зерен, тогда как другие (R b и C b ) имитируют объемный вклад [4]. Модель подходит для имитации в первом приближении измеренных кривых зависимости емкости (C) от частоты (f), показывающих релаксацию на высоких частотах. Следовательно, происхождение огромной диэлектрической проницаемости, возникающей из-за емкостного отклика до наблюдаемой релаксации, в основном объясняется поведением конденсатора с внутренним барьерным слоем (IBLC), связанным с изолирующими границами зерен и полупроводниковой структурой зерен. Это объяснение было подтверждено визуализацией изолирующих барьеров на границах зерен керамики CCTO как с помощью наноконтактных вольт-амперных измерений [7], так и с помощью сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) с проводящими наконечниками [8, 9]. ], как уже было продемонстрировано в других исследованиях микроэлектроники [10, 11].

Однако для применений в микроэлектронике тонкие пленки CCTO представляют гораздо больший интерес, чем керамика, поэтому для этих приложений возникновение и происхождение высокой диэлектрической проницаемости заслуживает надежной демонстрации и изучения именно в тонких пленках. В этом контексте следует отметить, что модель IBLC не может быть ответственной за гигантскую диэлектрическую проницаемость, наблюдаемую в монокристаллах CCTO [12], а также в эпитаксиальных столбчатых тонких пленках [13], где граница зерен не пересекается между двумя плоскими электродами. параллельно поверхности. Фактически гигантский отклик, действительно наблюдаемый в настоящее время в тонких пленках, был объяснен с учетом электродного эффекта в соответствии с моделью Максвелла-Вагнера (МВ) [14], и это ставит вопрос, до сих пор окончательно не изученный и не обсуждаемый, о надежность конденсатора CCTO и важность барьеров Шоттки на границе электрод-поверхность [15].

В этой статье мы сообщаем о тонких пленках CCTO, осажденных с помощью металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD), обладающих морфологией «кирпичной стены» (BW) и гигантской диэлектрической проницаемостью. В этом случае может присутствовать эффект IBLC. Здесь мы демонстрируем его возникновение и оцениваем необходимые условия для воспроизводимого достижения огромной плотности емкости во встроенных конденсаторах CCTO.

II. Экспериментальный

Пленки CCTO были нанесены двухэтапным процессом MOCVD на IrO 2 /Ir/TiO 2 /SiO 2 /Si подложка с параметрами условий, описанными в другом месте, и временем осаждения 180 минут [16–18].

Электрические характеристики в нанометровом масштабе были выполнены с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) VEECO D3100, оснащенного контроллером Nanoscope V и головкой Nanoman, работающей в воздухе, в контактном режиме и в условиях замкнутого контура, с использованием кондуктивной атомно-силовой микроскопии ( C-АСМ). Стандартные эксперименты проводились с алмазными наконечниками Nanoworld, легированными бором [19].–22]. Были также проведены измерения без лазера, чтобы исключить влияние лазера на сообщаемые электрические измерения в наномасштабе.

Измерения макроскопической зависимости емкости от частоты (C-f) проводились на конденсаторах Pt/CCTO/IrO 2 методом Термана и с использованием оборудования HP 4284A при напряжении AC с фиксированной амплитудой 50 мВ. Тестовые устройства изготовлены с верхними электродами площадью 10 4 мкм 2 , полученный в процессе фотолитографического отрыва напыленного платинового слоя.

Макроскопические характеристики сняты при различных температурах в диапазоне от 298 до 473 К.

III. Результаты

В нескольких статьях сообщалось о тонких пленках CCTO, выращенных с помощью PLD (импульсное лазерное осаждение) или других физических методологий, представляющих столбчатую морфологию (рис. 1a), где отсутствуют барьеры, параллельные электродам, аналогично монокристаллу [23, 24]. Наши тонкие пленки CCTO были выращены на IrO 9.0089 2 /Ir/TiO 2 /SiO 2 /Si подложка с помощью MOCVD, более удобного для промышленности метода. Они поликристаллические с округлыми зернами шириной около 100 нм. Морфология пленки аналогична морфологии, наблюдаемой в керамике, называемой морфологией «кирпичной стены» (BW), и характеризуется множеством границ зерен, параллельных поверхности электрода (рис. 1b), в отличие от типичного столбчатого роста (рис. 1a), наблюдаемого в Пленки CCTO, нанесенные методом PLD.

Рисунок 1

Схематическое поперечное сечение тонких пленок CCTO, обладающих столбчатой ​​(а) и «кирпичной стенкой» (б) морфологией .

Изображение полного размера

Кривые зависимости емкости от частоты (C-f) были измерены в диапазоне 10 2 -10 6 Гц и при различных температурах от 298 до 473 K. Типичные кривые зависимости емкости от частоты (рис. 2). ) были собраны при нескольких температурах, и оба указывают на специфическое поведение релаксации, зависящее от температуры: частота релаксации увеличивается при повышении температуры. Эта тенденция, наблюдаемая при макроскопических измерениях, аналогична тенденции, обнаруженной в керамике CCTO, поэтому может быть также интересно сравнение диэлектрических свойств в наномасштабе.

Рисунок 2

Кривые C-f при различных температурах на готовом Pt/CCTO/IrO
2
конденсаторы .

Полноразмерное изображение

Наномасштабное картирование электрического отклика показано на рис. 3 при комнатной температуре. Его проводили для того, чтобы отличить наличие внутреннего барьера [25] или поверхностной поляризации [26]. Карта тока (а) получена на голой поверхности тонкой пленки CCTO. Изолирующие границы зерен и проводящие зерна хорошо видны (рис. 3а). Эта диэлектрическая структура напоминает керамику CCTO, учитывая также морфологию BW. Дополнительные подробности были предоставлены кривыми тока в зависимости от напряжения (ВАХ), локально собранными с помощью C-AFM в точках матрицы 10×10, каждая из которых расположена на расстоянии 200 нм. Кривые IV явно принадлежат к двум семействам, как показано на соответствующей гистограмме (рис. 3b). Первое семейство сосредоточено на высоких значениях тока, а второе — на довольно низких значениях тока. Они могут быть соответственно связаны с током, протекающим через зерно (когда игла статистически контактирует с зерном) или границами зерна (когда игла периодически соприкасается с границами зерна). Ток, протекающий через границы зерен, по крайней мере на два порядка меньше, чем в зернах, что уже наблюдалось в поликристаллической керамике CCTO [27].

Рисунок 3

Карта тока C-AFM (a), полученная на тонких пленках CCTO, I-V, полученные в матрице 10 × 10, и гистограмма ее распределения

Изображение полного размера

Настоящие пленки CCTO имеют структуру BW с проводящими зернами, окруженными изолирующими границами зерен, что побуждает рассматривать модель IBLC как возможное объяснение наблюдаемой температурной зависимости частот релаксации.

IV. Обсуждение

Предыдущие отчеты [26, 27] показали, что микроструктура и электрические свойства керамики CCTO сильно зависят от условий обработки. Фактически размер зерна увеличивается с увеличением температуры спекания и/или времени обработки [26, 27]. Также сообщалось о наличии эффекта IBLC на керамике CCTO, связанного с условиями синтеза.

Изготовление тонких пленок CCTO «кирпичная стена» способствует аналогии с керамикой (невозможно для столбчатых пленок). Как наличие частотной зависимости температурной релаксации (рис. 2а), так и наличие изолирующих границ зерен, окружающих полупроводниковые зерна (рис. 3а), побуждают использовать модель IBLC для объяснения отклика гигантской диэлектрической проницаемости в тонких пленках.

Теперь, рассматривая диэлектрические характеристики (рис. 2) при наличии IBLC, можно использовать зависящую от температуры частоту релаксации для изучения электрических свойств границ зерен. Высота их барьера может быть определена путем измерения тока, протекающего в широком диапазоне температур (298-473 К). Фактически наличие внутренних барьеров может быть связано с прыжковой транспортной моделью, индуцирующей термоактивированную проводимость [7]. График Аррениуса измеренной электропроводности позволил оценить энергию активации зернограничного барьера, она равна E a ~0,25 эВ. Эта измеренная энергия активации проводимости в пленках CCTO ниже, чем в керамике [26, 27]; это несоответствие может быть в основном объяснено различной объемной долей проводника/изолятора в двух случаях, в основном из-за огромной разницы в размере зерна.

Наконец, следует отметить, что замечательно высокая плотность емкости (около 100 нФ/мм 2 ) может быть достигнута при комнатной температуре с разумным коэффициентом дисперсии (tanδ < 1 на 1 МГц) и в широком диапазоне частот (10 2 -10 6 Гц) при 473 K.

В. Заключение

Тонкие пленки CCTO, представляющие структуру BW, были изготовлены методом MOCVD. В этих пленках был предложен основной механизм для объяснения внешнего отклика гигантской диэлектрической проницаемости. Было продемонстрировано наличие эффекта IBLC. Замечательно высокая плотность емкости (около 100 нФ/мм 2 ) может быть достигнута при комнатной температуре.

Ссылки

  1. Субраманиан М.А., Ли Д., Дуан Н., Рейснер Б.А., Слейт А.В.: Высокая диэлектрическая проницаемость в ACu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    и ACu

    3

    Ти

    3

    FeO

    12

    Фазы. J Solid State Chem 2000, 151: 323. 10.1006/jssc.2000.8703

    Статья

    Google Scholar

  2. Homes CC, Vogt T, Shapiro SM, Wakimoto S, Ramirez AP: Оптический отклик оксида, родственного перовскиту, с высокой диэлектрической проницаемостью. Наука 2001, 293: 673. 10.1126/наука.1061655

    Артикул

    Google Scholar

  3. Sinclair DC, Adams TB, Morrison FD, West AR: CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12
     : одноступенчатая емкость внутреннего барьерного слоя. Appl Phys Lett 2002, 80: 2153. 10.1063/1.1463211

    Статья

    Google Scholar

  4. Адамс Т.Б., Синклер, округ Колумбия, Западная Арканзас: эффекты емкости гигантского барьерного слоя в CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    керамика». Adv Mater 2002, 14: 1321. 10.1002/1521-4095(20020916)14:18<1321::AID-ADMA1321>3.0.CO;2-P

    Артикул

    Google Scholar

  5. Колев Н., Бончев Р.П., Якобсон А.Дж., Попов В.Н., Хаджиев В.Г., Литвинчук А.П., Илиев М.Н.: Рамановская спектроскопия CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12
     . Phys Rev B 2002, 66: 132102. 10.1103/PhysRevB.66.132102

    Артикул

    Google Scholar

  6. He LX, Neaton JB, Cohen MH, Vanderbilt D, Homes CC: Изучение основных принципов структуры и диэлектрического отклика решетки CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12
     . Phys Rev B 2002, 65: 214112. 10.1103/PhysRevB.65.214112

    Статья

    Google Scholar

  7. Чанг С.Ю., Ким И.Д., Канг С-Дж.Л.: Сильное нелинейное поведение производного перовскита титаната кальция и меди. Nat Mater 2004, 3: 774. 10.1038/nmat1238

    Статья

    Google Scholar

  8. Фиоренца П., Ло Нигро Р., Бонджорно С., Райнери В., Фераррелли М.С., Синклер, округ Колумбия, Уэст, Арканзас: локализованная электрическая характеристика гигантского эффекта диэлектрической проницаемости в CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    керамика. Appl Phys Lett 2008, 92: 182907. 10.1063/1.2919095

    Статья

    Google Scholar

  9. Фиоренца П., Ло Нигро Р., Райнери В., Маландрино Г., Торо Р.Г., Каталано М.Р.: Высокая плотность емкости за счет CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    тонкие пленки. J Appl Phys 2010, 108: 074103. 10.1063/1.3488893

    Статья

    Google Scholar

  10. Порти М., Нафриа М., Аймерих Х., Ольбрих А., Эберсбергер Б.: Электрические характеристики нагруженного и разрушенного SiO

    2

    пленки в нанометровом масштабе с использованием проводящего атомно-силового микроскопа. J Appl Phys 2002, 91: 2071. 10.1063/1.1430542

    Статья

    Google Scholar

  11. Fiorenza P, Polspoel W, Vandervorst W: Исследования тонкого SiO с помощью кондуктивной атомно-силовой микроскопии

    2

    деградация слоя. Appl Phys Lett 2006, 88: 222104. 10.1063/1.2208370

    Статья

    Google Scholar

  12. Лункенхаймер П., Фихтль Р., Эббингауз С.Г., Лойдль А.: Несобственное происхождение колоссальных диэлектрических проницаемостей в CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12
     . Phys Rev B 2004, 70: 172102. 10.1103/PhysRevB.70.172102

    Статья

    Google Scholar

  13. Дэн Г., Хе З., Муральт П.: Физические аспекты материала с колоссальной диэлектрической проницаемостью CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    тонкие пленки. J Appl Phys 2009, 105: 084106. 10.1063/1.3106639

    Статья

    Google Scholar

  14. Фиоренца П., Ло Нигро Р., Райнери В.: Колоссальная диэлектрическая проницаемость современных функциональных гетерогенных материалов: актуальность локальных измерений в субмикронном масштабе. В Сканирующая зондовая микроскопия в нанонауке и нанотехнологиях . Под редакцией: Бушама Б. Гейдельберга, Springer-Verlag; 2010. ISBN: 9.78–3-642–03534–0. [ Нанонаука и технология .] ISBN: 978-3-642-03534-0. [Нанонаука и технологии.]

    Google Scholar

  15. «>

    Кронс С., Лункенхаймер П., Эббингауз С.Г., Лойдл А. Колоссальные диэлектрические постоянные в монокристаллическом и керамическом CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    исследованы методом широкополосной диэлектрической спектроскопии. J Appl Phys 2008, 103: 084107. 10.1063/1.24

    Артикул

    Google Scholar

  16. Ло Нигро Р., Торо Р.Г., Маландрино Г., Фрагала И.Л., Лосурдо М., Джангрегорио М.М., Бруно Г., Райнери В., Фиоренца П.: Рост тонких пленок из титаната кальция и меди: Адаптация рабочих условий с помощью нанохарактеристик и природы подложки последствия. J Phys Chem B 2006, 110: 17460–17467. 10.1021/jp062559c

    Артикул

    Google Scholar

  17. Ло Нигро Р., Торо Р.Г., Маландрино Г., Беттинелли М., Спегини А., Фрагала И.Л.: Новый подход к синтезу тонких пленок титаната кальция и меди с гигантскими диэлектрическими постоянными. Adv Mater 2004, 16: 891. 10.1002/adma.200306634

    Статья

    Google Scholar

  18. Ло Нигро Р., Маландрино Г., Торо Р.Г., Лосурдо М., Бруно Г., Фрагала И.Л.: Последние достижения в определении характеристик CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    тонкие пленки спектроскопической эллипсометрической метрологией. J Am Chem Soc 2005, 127: 13772. 10.1021/ja0541229

    Статья

    Google Scholar

  19. Фиоренца П., Ло Нигро Р., Райнери В., Торо Р.Г., Каталано М.Р.: Наноразмерная визуализация диэлектрической проницаемости гигантской каппы CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    зерна. J Appl Phys 2007, 102: 116103. 10.1063/1.2817539

    Артикул

    Google Scholar

  20. Фиоренца П., Ло Нигро Р., Шуто А. , Делугас П., Райнери В., Торо Р.Г., Каталано М.Р., Маландрино Г.: Перовскит CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    тонкие пленки для емкостных приложений: от роста до наноскопического изображения диэлектрической проницаемости. J Appl Phys 2009, 105: 061634. 10.1063/1.3086198

    Статья

    Google Scholar

  21. Фиоренца П., Ло Нигро Р., Райнери В., Ломбардо С., Торо Р.Г., Маландрино Г., Фрагала И.Л.: От микро- к нанотранспортным свойствам Pr

    2

    О

    3
     на основе тонких слоев. J Appl Phys Lett 2005, 98: 044312.

    Google Scholar

  22. Фиоренца П., Райнери В.: Надежность термически окисленного SiO

    2
     /4H-SiC с помощью кондуктивной атомно-силовой микроскопии. Appl Phys Lett 2006, 88: 212112. 10.1063/1.2207991

    Статья

    Google Scholar

  23. «>

    Альтамор С., Трингали С., Спарта Н., Ди Марко С., Грассо А., Равеси С.: Характеристика процесса травления плазмой высокой плотности тонких пленок CCTO для изготовления конденсаторов очень высокой плотности. IOPConf Ser Mater Sci Eng 8: 012017. 10.1088/1757-899X/8/1/012017

  24. Deng G, Yamada T, Muralt P: Доказательства существования перехода металл-изолятор-полупроводник на электроде интерфейсы CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    тонкопленочные конденсаторы. Appl Phys Lett 2007, 91: 202903. 10.1063/1.2814043

    Статья

    Google Scholar

  25. Fiorenza P, Lo Nigro R, Delugas P, Raineri V, Mold AG, Sinclair DC: Прямая визуализация эффекта ядро-оболочка при положительном температурном коэффициенте сопротивления-BaTiO

    3

    керамика. Appl Phys Lett 2009, 95: 142904. 10.1063/1.3242418

    Артикул

    Google Scholar

  26. «>

    Кронс С., Лункенхаймер П., Эббингауз С.Г., Лойдл А.: Широкополосная диэлектрическая спектроскопия на монокристаллическом и керамическом CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12
     . Appl Phys Lett 2007, 91: 022910. 10.1063/1.2757098

    Статья

    Google Scholar

  27. Адамс Т.Б., Синклер, округ Колумбия, Уэст, Арканзас: Характеристика импеданса границ зерен в мелко- и крупнозернистом CaCu

    3

    Ти

    4

    О

    12

    керамика. Phys Rev B 2006, 73: 094124. 10.1103/PhysRevB.73.094124

    Статья

    Google Scholar

Ссылки на скачивание

Благодарности

Авторы выражают благодарность г-ну Сальваторе Ди Франко из CNR-IMM Катании за помощь в литографических процессах.

Эта работа была поддержана Европейским Союзом в рамках проекта NUOTO (Новые материалы с ультравысоким k диэлектрическая постоянная для беспроводной электроники ЗАВТРА). NMP3-CT-2006-032644.

Информация об авторе

Авторы и организации

  1. Институт микроэлектроники и микросистем (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche, Strada VIII, 5, 95121, Катания, Италия

    Патрик и Ло Раффеллато Ло Раффаренца, 

Авторы

  1. Патрик Фиоренца

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Академия

  2. Raffaella Lo Nigro

    Посмотреть публикации автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

  3. Vito Raineri

    Просмотр публикаций автора

    Вы также можете искать этого автора в
    PubMed Google Scholar

Автор, ответственный за корреспонденцию

Патрик Фиоренца.

Дополнительная информация

Конкурирующие интересы

Авторы заявляют, что у них нет конкурирующих интересов.

Prev post Удельная теплоемкость газов: PhysBook:Электронный учебник физики — PhysBook
Next post Авторемонтные предприятия это: Авторемонтные предприятия и подразделения

Related Posts

Back to top